三菱電機株式会社

三菱電機株式会社

従業員数
145653人
業種
電気・電子機器
所在地
東京都千代田区丸の内2-7-3 東京ビル
HP
https://www.mitsubishielectric.co.jp/
27年就職:インターン・仕事体験
研究開発職

パワーデバイスについての基礎の理解と素子の最適設計業務について

所要日数:2週間程度 福岡県
募集職種
研究開発職
対象資格
2027年修了見込みの方 学部, 修士, 博士
対象専攻
工学 / 電気電子工学 数物系科学 / 物理学 化学 / 基礎化学・複合化学・材料化学
勤務予定地
福岡県
備考
福岡県福岡市
選考フロー・応募後の流れ
応募後のフロー ・まずはLabBase就職から応募ください ・応募完了後にマイページのID/PASSをメールアドレス宛に送付します ・マイページにログイン後、WEB適性検査の受験、エントリーシート/動画の提出をお願いします ・書類選考合格者のみ面接を実施します(1回) ・面接合格者へインターンシップの詳細なご案内を致します ※LabBase就職から応募することで必要情報の一部が入力不要となります。
応募受付期間
2025年5月7日(水) ~ 2025年6月15日(日)
実施期間
2025年9月1日(月) ~ 2025年9月12日(金)
備考
■9月1日(月)~9月12日(金) ■実働10日間
パワーデバイスの素子構造や製造技術の開発 (開発試作から量産構造の決定までを担当) 次世代パワーデバイス素子のSiC-MOSFETの素子について、実際にチップの評価を行っていただき、特性最適化のための開発業務を実施していただきます。
求める経験、スキル、資格など
・パワーデバイスに関する業界に興味を有する方 ・Microsoft Office(Word/Excel)の基本操作を習得している方 ・半導体デバイス、電磁気学、電子材料、結晶などの分野の基礎知識を有する方 ・半導体チップ評価の経験を有する方 ・半導体に関する研究をされている方 ・電子材料や結晶材料に関する研究をされている方
関連する研究キーワード
研究 結晶 電子材料 電磁気学 パワーデバイス 半導体デバイス 製造技術 SiC-MOSFET 素子構造 開発試作 量産構造 特性最適化 半導体チップ評価 チップ評価

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