27年就職：インターン・仕事体験
研究開発職
パワーデバイスについての基礎の理解と素子の最適設計業務について
- 募集職種
- 研究開発職
- 対象資格
- 2027年修了見込みの方 学部, 修士, 博士
- 対象専攻
- 工学 / 電気電子工学 数物系科学 / 物理学 化学 / 基礎化学・複合化学・材料化学
- 勤務予定地
- 福岡県
- 備考
- 福岡県福岡市
- 選考フロー・応募後の流れ
- 応募後のフロー ・まずはLabBase就職から応募ください ・応募完了後にマイページのID/PASSをメールアドレス宛に送付します ・マイページにログイン後、WEB適性検査の受験、エントリーシート/動画の提出をお願いします ・書類選考合格者のみ面接を実施します（1回） ・面接合格者へインターンシップの詳細なご案内を致します ※LabBase就職から応募することで必要情報の一部が入力不要となります。
- 応募受付期間
- 2025年5月7日(水)~2025年6月15日(日)
- 実施期間
- 2025年9月1日(月)~2025年9月12日(金)
- 備考
- ■9月1日（月）～9月12日（金） ■実働10日間
- パワーデバイスの素子構造や製造技術の開発 （開発試作から量産構造の決定までを担当） 次世代パワーデバイス素子のSiC-MOSFETの素子について、実際にチップの評価を行っていただき、特性最適化のための開発業務を実施していただきます。
- 求める経験、スキル、資格など
- ・パワーデバイスに関する業界に興味を有する方 ・Microsoft Office（Word／Excel）の基本操作を習得している方 ・半導体デバイス、電磁気学、電子材料、結晶などの分野の基礎知識を有する方 ・半導体チップ評価の経験を有する方 ・半導体に関する研究をされている方 ・電子材料や結晶材料に関する研究をされている方
- 関連する研究キーワード
- 研究 結晶 電子材料 電磁気学 パワーデバイス 半導体デバイス 製造技術 SiC-MOSFET 素子構造 開発試作 量産構造 特性最適化 半導体チップ評価 チップ評価