インターン・仕事体験 受付終了
パワーデバイスのウエハプロセス開発体験
ルネサス エレクトロニクス株式会社生産技術・工法開発・生産管理職 · 27卒
特典 宿泊費支給, 交通費支給
ルネサス エレクトロニクス株式会社
機械 / 電気・電子機器 / 自動車・輸送機器 / 半導体・電子部品 / コンピューター・通信機器
27年就職：インターン・仕事体験
生産技術・工法開発・生産管理職
パワーデバイス(MOSFET)のウエハプロセス開発実習
- 募集職種
- 生産技術・工法開発・生産管理職
- 対象資格
- 2027年修了見込みの方 学部, 修士, 博士
- 勤務予定地
- 山梨県
- 備考
- 甲府
- 選考フロー・応募後の流れ
- ▼応募期間 第一期：2025/10/31受付開始～2025/11/16締め切り 第二期：2025/12/4受付開始～2025/12/10締め切り ▼応募後の流れ マイページよりエントリーシート提出＋適性検査受験
- 応募受付期間
- 2025年10月31日(金) ~ 2025年12月10日(水)
- 実施期間
- 2026年2月16日(月) ~ 2026年2月20日(金)
- 車載や産業向け低耐圧パワーMOSFETのウエハプロセス開発について、実際に甲府工場のクリーンルーム内でデバイス形状評価や事務所での電気的特性まとめを体験していただきます。
- 報酬・待遇
- 交通費支給, 宿泊費支給
- 備考
- ▼交通費について ・会社までの交通費は全額負担します。 ・宿泊対象者の自宅と宿泊先間の交通費については、国内分のみ支給します。 ▼宿泊施設について ・当社規定に則り、現居住地からの参加が困難な場合に限り、宿泊施設を用意します。 ▼報酬について ・報酬は支給しません。 ・昼食相当分として、参加1日につき1,000円を支給します。 ・その他の食事代の取り扱いは以下のとおりです。 ■会社提供の宿泊施設を利用する場合 ［朝食］参加1日につき、宿泊施設で食事を提供します。 ［夕食］参加1日につき、1,000円を支給します。 ※参加日以外の食事代は、個人負担です。 ■現居住地から参加する場合 昼食代以外の支給は行いません。
- 求める経験、スキル、資格など
- 半導体物理やデバイス物性の基礎知識
- 関連する研究キーワード
- MOSFET 電気的特性 パワーデバイス 半導体物理 産業 車載 低耐圧 デバイス物性 ウエハプロセス デバイス形状評価
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