28年 本採用
【28卒_研究開発職/転勤なし】世界一細い線が描ける電子ビーム描画装置メーカーで新製品開発しませんか？
- 研究開発職
- 東京都
- 2027年3月10日(水) 締め切り
株式会社エリオニクス
書類選考免除交通費支給
NTTアドバンステクノロジ株式会社
- 従業員数
- 2137人
- 業種
- ソフトウェア・情報処理 / 通信 / 半導体・電子部品 / その他素材
- 所在地
- 東京都新宿区西新宿三丁目２０番２号 東京オペラシティタワー
- HP
- https://www.ntt-at.co.jp/
27年就職：本採用
研究開発職
【LabBase限定： 書類選考合格確約！】原子レベルの極限制御に挑む。次世代半導体製造を支えるEUVミラー、半導体デバイスの構造解析、微細加工技術を通したプロセス技術開発
- 募集職種
- 研究開発職
- 対象資格
- 2027年修了見込みの方 学部, 修士, 博士
- 対象専攻
- 工学 / 機械工学・電気電子工学・材料工学・プロセス・化学工学・総合工学 総合理工 / ナノ・マイクロ科学・応用物理学 情報学 / 情報学基礎 数物系科学 / 物理学 化学 / 基礎化学・複合化学・材料化学
- 勤務予定地
- 神奈川県
- 備考
- 本人のご希望と適性を鑑みて決定いたします。
- 面接予定地
- オンライン面接, 東京都, 神奈川県
- 備考
- 一次面談はオンライン、二次面談は対面にて実施いたします。
- 選考フロー・応募後の流れ
- １）当募集への応募 / スカウト承諾をお願いいたします。 ２）その後のご案内はメッセージにてやりとりさせていただきます。 ＜通常選考フロー＞ 1. エントリーシート・適性検査１・履修履歴登録（大学の成績） ※スカウト承諾いただいた方のES/適性検査の合格は確約いたします！ 応募管理上、提出/受験はしていただきます 2. グループディスカッション・適性検査２ 3. プレ一次面談、一次面談（オンライン） 4. 二次面談（対面） 5. 内定面談（オンライン）
- 応募受付期間
- 2025年12月11日(木) ~ 2026年6月30日(火)
- 仕事内容
- ナノメートル、オングストロームの世界を制御し、物理的限界を突破する。 NTT研究所と共に、まだ世にない「最先端技術」そのものを確立する挑戦へ。 ━━━━━━━━━━━━━ ■仕事概要 ━━━━━━━━━━━━━ NTTグループの技術的中核企業として、 NTT研究所が生み出す先端技術やノウハウを核に、 ナノテクノロジー・機能性材料分野での製品開発、製造技術確立、および技術コンサルティングを担当します。 【具体的な業務例】 【１】EUV/X線光学部品の開発 最先端半導体露光装置（EUVリソグラフィ）などの産業応用や、天体物理応用、高次高調波を利用した超高速物理研究など幅広い分野で用いられるミラーの光学設計・開発、成膜プロセス。 【２】光機能性材料・結晶の開発 IOWN構想の鍵となる特殊光学結晶（KTN結晶など）の結晶成長、加工、およびEO効果を利用した光デバイスへの応用開発。 【３】GaNパワーデバイス関連 省エネ社会を実現する窒化物半導体（GaN）のエピタキシャル成長、ウェハ製造プロセスの開発・評価。 【４】ナノ構造・材料分析 SEM、TEM等を駆使した微細構造の解析、SIMS等を用いた表面分析および顧客の課題解決（コンサルティング）。 ━━━━━━━━━━━━━ ■なぜ、この仕事は面白いのか（具体的な魅力と強み） ━━━━━━━━━━━━━ 【１】NTT研究所の技術を核とした、特殊材料の製品化・量産化 IOWN構想の実現に向けた「KTN結晶」や、省エネ社会に貢献する「窒化物半導体（GaN）エピタキシャルウェハ」など、 NTT研究所の先端技術をベースとした高付加価値な材料開発を行っています。 実験室レベルの技術を、市場に提供できる「製品」へと高めていく、技術開発とモノづくりの両面を追求できる環境です。 ※IOWN構想について詳しくはこちら！：https://group.ntt/jp/group/iown/ 【２】原子レベルの膜厚制御技術で、最先端半導体の進化に貢献 当社はEUVミラーなどの光学部品において、顧客の要望に応じた多層膜構造を設計し、 独自の製造装置を用いて「原子レベルの膜厚制御・平滑さ」を有する薄膜を形成する技術を保有しています。 半導体の微細化に不可欠なEUVリソグラフィ技術の中核を担う製品開発に、材料・プロセス技術の側面から携わることができます。 【３】高度な分析技術・設備を自社保有し、開発へ迅速にフィードバック ナノテクノロジー開発に不可欠な、X線や電子を用いた構造分析・表面分析・微量分析の技術と設備を自社で保有しています 。 自ら開発した材料やデバイスの微細構造を、ナノメートルオーダーで評価・解析し 、 その結果を即座に次のプロセス設計へフィードバックすることで、高精度な開発サイクルを回すことが可能です。 ━━━━━━━━━━━━━ ■あなたの専門性が活きるフィールド ━━━━━━━━━━━━━ 【物理・応用物理・光工学系の方】 ・光学・薄膜設計 ┗EUV/X線ミラーの多層膜設計、光シミュレーション、KTN結晶を用いた光偏向制御などのデバイス物理の知識が直結します。 ・結晶成長・プロセス ┗真空成膜装置を用いた薄膜形成や、単結晶育成プロセスの制御において、物理的な洞察力が求められます。 【化学・材料工学・物質系の方】 ・分析・評価 ┗SEM/TEM、X線回折、表面分析などを駆使し、材料の特性を原子・分子レベルで解明する分析化学のスキルが発揮できます。 【電気電子・半導体工学系の方】 ・デバイス開発 ┗GaNパワーデバイスの構造設計、エピタキシャル成長評価、電気特性評価など、次世代半導体の実用化に貢献できます。 【機械工学・精密工学系の方】 製造装置・微細加工 ┗光コネクタ製造装置や微細加工プロセスの確立、ナノインプリント技術の応用など、ミクロン〜ナノオーダーのものづくり技術が活きます。 ━━━━━━━━━━━━━ ■NTTの中にも、化学の可能性がある（社員インタビュー） ━━━━━━━━━━━━━ ナノエレクトロニクスビジネス部門 2013年入社 理学研究科 化学専攻 修了 Q.現在の仕事内容は？ 私は現在、EUVミラーの製造業務と、半導体プロセスによる各種素子の作製を行っています。 どちらも半導体製造装置や各種評価装置を用いた業務で、 リソグラフィ、エッチング、成膜などの各工程を行い、ミラー製造や素子作製を実施します。 各工程をメンバーで分担し、チームで製造にあたっていますが、 中でも私は、EUVミラー製造においては、成膜装置を用いた基板上への成膜業務と、膜の評価を主に行っています。 成膜業務には製造装置を安定運用するための装置メンテナンスや、ミラーごとの条件検討も含まれています。 また半導体プロセスでは、主にリソグラフィとエッチングの工程を担当し、 お客様の要望に合った素子の作製を行っており、時には技術的立場からお客様に直接説明する場合もあります。 Q.入社動機は？ 大学・大学院時代は化学分野を専攻しており、将来的には化学メーカーなどへの就職を漠然と考えていました。 あるとき学会誌を読んでいると、「光接着剤」や「撥水材料」が紹介されている記事を見て、それがNTT-ATのものでした。 NTT系の会社で化学分野の事業があることに驚きましたが、その後にNTT-ATのことを調べていくと、 非常に幅広い事業分野を扱っていることや、通信業界に化学の力で貢献できることを知り、 未知の分野で大きな挑戦がしたいという思いが強くなり、入社を志望しました。 また入社後、学生時代に実験で使っていた素子が、実は当社製だったことを知り、少し運命的なものを感じました。 記事詳細はこちら！：https://www.ntt-at.co.jp/recruit/nanotec...
- 求める人物像
- ・原子・ナノレベルの極限制御や、物理的限界への挑戦に知的好奇心を持てる方 ・最先端の技術シーズを、社会実装可能な「製品」へと育てることに熱意がある方 ・物理・化学・材料の専門性を、通信やインフラという異分野で活かしたい方
- 待遇
- 交通費支給
- 備考
- 対面での面談の際は、当社規定に基づき支給いたします。
- 優遇特典
- 書類選考免除
- 備考
- 当社からのスカウトを承諾してくださった方は、書類選考合否について免除させていただきます。 ※応募管理上、提出はしていただきますのでご了承ください。
- 関連する研究キーワード
- ナノテクノロジー SEM 分析 TEM 結晶成長 半導体プロセス ナノテク GaN 窒化物半導体 ナノエレクトロニクス EUV 光学設計 ktn 薄膜成膜技術 材料分析・評価 GaNエピウェハ EUVミラー
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- 2026年3月31日(火) 締め切り
I-PEX株式会社
1次選考免除書類選考免除交通費支給
27年 本採用
【27卒職種紹介】電子デバイス開発コース(構造・光学・回路設計①)：光の力で社会課題を解決！最先端のLED・MEMS素子を開発する
- 研究開発職
- 神奈川県
- 2026年4月30日(木) 締め切り
スタンレー電気株式会社
本募集情報は企業によって入力された内容を基に掲載しております。内容に関するお問い合わせ はLabBase事務局までご連絡ください。