ルネサス エレクトロニクス株式会社
- 従業員数
- 21204人
- 業種
- 機械 / 電気・電子機器 / 自動車・輸送機器 / 半導体・電子部品 / コンピューター・通信機器
- 所在地
- 東京都江東区豊洲三丁目2番24号（豊洲フォレシア）
- HP
- https://career.renesas.com/new_graduates/
27年就職：インターン・仕事体験
生産技術・工法開発・生産管理職
Wide Band Gap 半導体実装技術(ウェハダイシング、ダイボンド)評価実習
- 募集職種
- 生産技術・工法開発・生産管理職
- 対象資格
- 2027年修了見込みの方 学部, 修士, 博士
- 勤務予定地
- 群馬県
- 備考
- 高崎
- 選考フロー・応募後の流れ
- ▼応募期間 第一期：2025/10/31受付開始～2025/11/16締め切り 第二期：2025/12/4受付開始～2025/12/10締め切り ▼応募後の流れ マイページよりエントリーシート提出＋適性検査受験
- 応募受付期間
- 2025年10月31日(金) ~ 2025年12月10日(水)
- 実施期間
- 2026年2月16日(月) ~ 2026年2月20日(金)
- 半導体実装技術のプロセス・材料開発（ウェハダイシング、ダイボンド）の概要を学んでいただくと共に、実際にエンジニアと一緒にプロセス/材料評価・解析を体験していただきます。半導体実装技術の座学と評価に従事する内容です。パワーデバイス製品では要求特性に合わせ、従来のSiベースのウェハと共にSiCやサファイアベースのBand Gapが大きいウェハ材料の使い分けを行っています。ウェハ材料毎の加工性の違いを体験して頂くと共に、ウェハから切り出しした半導体チップをリードフレームへ実装するダイボンドプロセスを体験頂き、材料・プロセス双方で半導体実装技術について学んで頂くカリキュラムとします。
- 報酬・待遇
- 交通費支給, 宿泊費支給
- 備考
- ▼交通費について ・会社までの交通費は全額負担します。 ・宿泊対象者の自宅と宿泊先間の交通費については、国内分のみ支給します。 ▼宿泊施設について ・当社規定に則り、現居住地からの参加が困難な場合に限り、宿泊施設を用意します。 ▼報酬について ・報酬は支給しません。 ・昼食相当分として、参加1日につき1,000円を支給します。 ・その他の食事代の取り扱いは以下のとおりです。 ■会社提供の宿泊施設を利用する場合 ［朝食］参加1日につき、宿泊施設で食事を提供します。 ［夕食］参加1日につき、1,000円を支給します。 ※参加日以外の食事代は、個人負担です。 ■現居住地から参加する場合 昼食代以外の支給は行いません。
- 求める経験、スキル、資格など
- 実装・パッケージングに興味のある方。
- 関連する研究キーワード
- エンジニア プロセス 加工性 解析 材料開発 実装 半導体 評価 SiC パワーデバイス 実装技術 パッケージング サファイア リードフレーム 半導体チップ Wide Band Gap ウェハダイシング ダイボンド Siベース ウェハ材料
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